Molekuły POM przyszłością pamięci flash?
21 listopada 2014, 13:26Nowa molekuła może być odpowiedzią na ograniczoną pojemność układów flash. Komponenty MOS (metal-oxide-semiconductor) wykorzystywane do produkcji pamięci flash są ograniczone fizycznym limitem wielkości komórki pamięci. Bardzo trudno bowiem jest je zmniejszyć poniżej 10 nanometrów, co ogranicza liczbę komórek, jakie można umieścić na tradycyjnym krzemowym układzie.
100 USD zysku z każdego iPoda
25 września 2007, 09:38Z doniesień iSuppli wynika, że najnowszy, rozbudowany iPod Nano zapewnia Apple’owi spory margines zysku. Firma analityczna wylicza, że wyprodukowanie jednego nowego iPoda wyposażonego w 4 gigabajty pamięci i wyświetlacz kosztuje 58,85 USD.
Setki urządzeń z Bluetooth narażonych jest na atak
26 lutego 2020, 04:26Badacze z Singapuru poinformowali o zidentyfikowaniu luk w ponad 480 urządzeniach Bluetooth w tym bransoletkach do fitnessu, urządzeniach medycznych czy urządzeniach z gatunku "smart home". Błędy znaleziono w SKD Bluetooth Low Energy (BLE) mogą zostać wykorzystane do wywołania awarii lub uzyskania przez napastnika prawa do odczytu i zapisu danych.
Zbudują fabrykę memrystorów
1 września 2010, 16:04HP poinformowało o podpisaniu porozumienia z koreańską firmą Hynix Semiconductor, które przewiduje budowę fabryki memrystorów. Zakład ma rozpocząć produkcję w 2013 roku.
Tłuste lata półprzewodników
20 listopada 2006, 13:19Przemysł półprzewodnikowy w najbliższym czasie nie będzie miał najmniejszych powodów do zmartwień. Semiconductor Industry Association (SIA) poinformowała, że w roku 2008 obroty całego przemysłu półprzewodników wzrosną do 303,4 miliarda dolarów.
Zmarł Andy Grove - współtwórca potęgi Intela
22 marca 2016, 10:27Wczoraj w wieku 79 lat zmarł Andy Grove, jeden z twórców potęgi Intela. Przyczyny śmierci nie podano. W latach 90. mężczyzna skutecznie walczył z rakiem prostaty, w 2000 roku zdiagnozowano u niego chorobę Parkinsona.
Bardzo gęste flesze
13 grudnia 2007, 00:04O kolejnym osiągnięciu, dzięki któremu powstaną jeszcze nowocześniejsze pamięci krzemowe, informuje firma Toshiba. Opracowana przez nią struktura z podwójną warstwą tunelowania umożliwi budowanie pamięci flash w technologii 10 nm. Tak duża gęstość upakowania elementów (najnowocześniejsze obecnie mikroprocesory wykonane są w technologii 45 "aż" nanometrów) pozwoli budować układy pamięci flash o pojemności nawet 100 Gbit (12,5 gigabajta).
Fotowoltaika wychodzi poza krzem
7 lipca 2020, 08:00Rynek nowych nie korzystających z krzemu technologii w fotowoltaice będzie w 2040 roku warty 38 miliardów dolarów, a przy tym nie będzie odbierał klientów rynkowi tradycyjnych paneli słonecznych, wynika z raportu "Materials Opportunities in Emerging Photovoltaics 2020–2040" przedstawionego prze IDTechEx.
Intel producentem FPGA na zamówienie
2 listopada 2010, 16:24Po raz pierwszy w historii Intel będzie produkował układy scalone na zlecenie mniejszej firmy. Pierwszym klientem Intela został Achronix Semiconductor, który będzie zamawiał kości FPGA wykonane w technologii 22 nanometrów.
Mały Hynix
5 grudnia 2006, 09:30Hynix Semiconductor opracował najmniejszą i najszybszą kość DRAM o pojemności 512 megabitów. Układ przeznaczony jest dla urządzeń przenośnych.
